可控硅模塊在控溫、調光、勵磁、電鍍、充放電、電焊機、等離子拉弧等領域有著廣泛的應用，它能夠起到對電力能量大小進行調整與變換的作用，在工業、通訊等場合作用極大。

　　

　　可控硅模塊的主要參數：

　　

　　1、額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。

　　

　　2、反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。

　　

　　3、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。

　　

　　4、維持電流IH在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。

　　

　　5、控制極觸發電流Ig1、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下，陽極--陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的zui小控制極電流和電壓。

　　

　　可控硅模塊六大使用注意事項：

　　

　　1、線路中必須要設有過壓過流保護措施，串并聯使用時也必須要有均流措施。

　　

　　2、如果使用萬用表來判斷器件是否損壞，則門陰間電阻，要有十幾或者幾十歐姆，否則門極很容易短路或者斷路，陰陽極間的電阻，也要大于1MΩ，電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良，電阻接近零時則表明器件已擊穿，發現有斷路或者短路現象時，則要立即更換。

　　

　　3、嚴禁使用兆歐表來檢查元件的絕緣情況。

　　

　　4、對于電流為以上的可控硅模塊就要安裝散熱器，并且其冷卻條件要滿足相關規定。

　　

　　5、按照相關規定對主電路中的可控硅模塊采用過壓以及過流保護裝置。

　　

　　6、要防止出現可控硅模塊控制極的正向過載以及反向擊穿現象。