富士IGBT模塊2MBI300U4H-120

型號：	2MBI300U4H-120
報價：	999

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

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日本富士 IGBT 模塊（耐壓600/1200/1400/1800/2000V）系列：
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1MBI30L-060	1MBI50L-060	1MBI75FE-060	1MBI75L-060
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1MBI300JN-120	1MBI300JB-120	1MBI300NP-120	1MBI300NN-120
1MBI400JN-120	1MBI400JP-120	1MBI400NP-120	1MBI400NN-120
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1MBI600PX-120
日本富士 IGBT 1單元1400/1800/2000V系列：
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日本富士 IGBT 2單元600V系列：
2MBI50L-060	2MBI75L-060	2MBI100L-060	2MBI150L-060
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2MBI25L-120	2MBI50L-120	2MBI75L-120	2MBI100L-120
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3MBI150U-120	2MBP600UA-120	2MBI100U4A-120	2MBI150U4A-120
2MBI150UA-120	2MBI200U4A-120	2MBI400U4H-120	2MBI450U4E-120
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2MBI200PB-140	2MBI300P-140
日本富士 IGBT 6單元600V系列：
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6MBI10N-060	6MBI15N-060	6MBI20N-060	6MBI30N-060
6MBI50L-060	6MBI75L-060	6MBI100L-060	6MBI15LS-060
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7MBI200U2E-060	7MBI75SA120	7MBI100SA120	7MBI100UE120

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